ZHCSBW8B December   2013  – January 2015 CSD19533KCS

PRODUCTION DATA.  

  1. 1特性
  2. 2应用范围
  3. 3说明
  4. 4修订历史记录
  5. 5Specifications
    1. 5.1 Electrical Characteristics
    2. 5.2 Thermal Information
    3. 5.3 Typical MOSFET Characteristics
  6. 6器件和文档支持
    1. 6.1 商标
    2. 6.2 静电放电警告
    3. 6.3 术语表
  7. 7机械、封装和可订购信息
    1. 7.1 KCS 封装尺寸

封装选项

机械数据 (封装 | 引脚)
散热焊盘机械数据 (封装 | 引脚)
订购信息

6 器件和文档支持

6.1 商标

NexFET is a trademark of Texas Instruments.

6.2 静电放电警告

esds-image

这些装置包含有限的内置 ESD 保护。 存储或装卸时，应将导线一起截短或将装置放置于导电泡棉中，以防止 MOS 门极遭受静电损伤。

6.3 术语表

SLYZ022 — TI 术语表。

这份术语表列出并解释术语、首字母缩略词和定义。