3 说明
这款 100V,5.3mΩ,SON 5mm × 6mm NexFET™ 功率 MOSFET 被设计成在功率转换应用中大大降低损耗。
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产品概要
TA = 25°C | 典型值 | 单位 |
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VDS | 漏源电压 | 100 | V |
Qg | 栅极电荷总量 (10V) | 37 | nC |
Qgd | 栅漏栅极电荷 | 6.6 | nC |
RDS(on) | 漏源导通电阻 | VGS = 6V | 6.0 | mΩ |
VGS = 10V | 5.3 | mΩ |
VGS(th) | 阀值电压 | 2.7 | V |
订购信息
器件 | 介质 | 数量 | 封装 | 出货 |
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CSD19531Q5A | 13 英寸卷带 | 2500 | SON 5mm x 6mm 塑料封装 | 卷带封装 |
CSD19531Q5AT | 7 英寸卷带 | 250 |
- 要了解所有可用封装,请见数据表末尾的可订购产品附录。
最大绝对额定值
TA = 25°C | 值 | 单位 |
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VDS | 漏源电压 | 100 | V |
VGS | 栅源电压 | ±20 | V |
ID | 持续漏极电流(受封装限制) | 100 | A |
持续漏极电流(受芯片限制),TC = 25°C 时测得 | 110 |
持续漏极电流(1) | 16 |
IDM | 脉冲漏极电流(2) | 337 | A |
PD | 功率耗散(1) | 3.3 | W |
功率耗散,TC = 25°C | 125 |
TJ, Tstg | 运行结温和 储存温度范围 | -55 至 150 | °C |
EAS | 雪崩能量,单一脉冲 ID = 60A,L = 0.1mH,RG = 25Ω | 180 | mJ |
- RθJA = 40°C/W,这是在一个厚度 0.06 英寸环氧树脂 (FR4) 印刷电路板 (PCB) 上的 1 英寸2,2 盎司 的铜过渡垫片上测得的典型值。
- 最大 RθJC = 1.0°C/W,持续时间 ≤100μs,占空比 ≤1%