ZHCSBK7B September   2013  – May 2014 CSD19531Q5A

PRODUCTION DATA.  

  1. 1特性
  2. 2应用范围
  3. 3说明
  4. 4修订历史记录
  5. 5Specifications
    1. 5.1 Electrical Characteristics
    2. 5.2 Thermal Characteristics
    3. 5.3 Typical MOSFET Characteristics
  6. 6器件和文档支持
    1. 6.1 Trademarks
    2. 6.2 Electrostatic Discharge Caution
    3. 6.3 Glossary
  7. 7机械封装和可订购信息
    1. 7.1 Q5A 封装尺寸
    2. 7.2 建议印刷电路板 (PCB) 布局
    3. 7.3 建议模板开口
    4. 7.4 Q5A 卷带信息

封装选项

机械数据 (封装 | 引脚)
  • DQJ|8
订购信息

1 特性

  • 超低 Qg 和 Qgd
  • 低热阻
  • 雪崩额定值
  • 无铅端子镀层
  • 符合 RoHS 环保标准
  • 无卤素
  • 小外形尺寸无引线 (SON) 5mm x 6mm 塑料封装

2 应用范围

  • 初级侧电信应用
  • 次级侧同步整流器
  • 电机控制

3 说明

这款 100V，5.3mΩ，SON 5mm × 6mm NexFET™ 功率 MOSFET 被设计成在功率转换应用中大大降低损耗。

顶视图
P0093-01_LPS198.gif

产品概要

TA = 25°C 典型值单位
VDS漏源电压100V
Qg栅极电荷总量 (10V)37nC
Qgd栅漏栅极电荷6.6nC
RDS(on)漏源导通电阻VGS = 6V6.0mΩ
VGS = 10V5.3mΩ
VGS(th)阀值电压2.7V


订购信息

器件介质数量封装出货
CSD19531Q5A13 英寸卷带2500SON 5mm x 6mm
塑料封装		卷带封装
CSD19531Q5AT7 英寸卷带250
  1. 要了解所有可用封装，请见数据表末尾的可订购产品附录。

最大绝对额定值

TA = 25°C 值单位
VDS漏源电压100V
VGS栅源电压±20V
ID持续漏极电流（受封装限制）100 A
持续漏极电流（受芯片限制），TC = 25°C 时测得110
持续漏极电流(1)16
IDM脉冲漏极电流(2)337A
PD功率耗散(1)3.3W
功率耗散，TC = 25°C125
TJ，
Tstg		运行结温和
储存温度范围		-55 至 150°C
EAS雪崩能量，单一脉冲
ID = 60A，L = 0.1mH，RG = 25Ω		180mJ
  1. RθJA = 40°C/W，这是在一个厚度 0.06 英寸环氧树脂 (FR4) 印刷电路板 (PCB) 上的 1 英寸2，2 盎司 的铜过渡垫片上测得的典型值。
  2. 最大 RθJC = 1.0°C/W，持续时间 ≤100μs，占空比 ≤1%

RDS(on) 与 VGS 间的关系

graph07_SLPS406.png

栅极电荷

graph04_SLPS406.png