ZHCSBK8C September   2013  – March 2017 CSD19531KCS

PRODUCTION DATA.  

  1. 1特性
  2. 2应用范围
  3. 3说明
  4. 4修订历史记录
  5. 5Specifications
    1. 5.1 Electrical Characteristics
    2. 5.2 Thermal Information
    3. 5.3 Typical MOSFET Characteristics
  6. 6器件和文档支持
    1. 6.1 接收文档更新通知
    2. 6.2 社区资源
    3. 6.3 商标
    4. 6.4 静电放电警告
    5. 6.5 Glossary
  7. 7机械、封装和可订购信息
    1. 7.1 KCS 封装尺寸

封装选项

请参考 PDF 数据表获取器件具体的封装图。

机械数据 (封装 | 引脚)
  • KCS|3
散热焊盘机械数据 (封装 | 引脚)
订购信息

1 特性

  • 超低 Qg 和 Qgd
  • 低热阻
  • 雪崩额定值
  • 无铅引脚镀层
  • 符合 RoHS 环保标准
  • 无卤素
  • 晶体管 (TO)-220 塑料封装

2 应用范围

  • 次级侧同步整流器
  • 热插拔电信应用
  • 电机控制

3 说明

此 100V、6.4mΩ、TO-220 NexFET™功率 MOSFET 被设计成在功率转换应用中大大降低 损耗。

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CSD19531KCS FET_Pins.gif
CSD19531KCS TO220p2.png

产品概要

TA=25°C 典型值 单位
VDS 漏源电压 100 V
Qg 栅极电荷总量 (10V) 37 nC
Qgd 栅极电荷（栅极到漏极） 7.5 nC
RDS(on) 漏源导通电阻 VGS = 6V 7.3 mΩ
VGS = 10V 6.4
VGS(th) 阈值电压 2.7 V

器件信息(1)

器件 封装 包装介质 数量 运输
CSD19531KCS TO-220 塑料封装 管 50 管
  1. 要了解所有可用封装，请见数据表末尾的可订购产品附录。

绝对最大额定值

TA=25°C 值 单位
VDS 漏源电压 100 V
VGS 栅源电压 ±20 V
ID 持续漏极电流（受封装限制） 100 A
持续漏极电流（受芯片限制），TC = 25°C 时测得 110
持续漏极电流（受芯片限制），TC = 100°C 时测得 78
IDM 脉冲漏极电流(1) 285 A
PD 功率耗散 214 W
TJ，
Tstg		 工作结温，
储存温度		 -55 至 175 °C
EAS 雪崩能量，单一脉冲
ID = 60A，L = 0.1mH，RG = 25Ω		 180 mJ
  1. 最大 RθJC = 0.7ºC/W，脉冲持续时间 ≤ 100μs，占空比 ≤ 1%。

RDS(on) 与 VGS 间的关系

CSD19531KCS graph07_SLPS407.png

栅极电荷

CSD19531KCS graph04F2_SLPS407.png