ZHCS977E June   2012  – September 2014 CSD18504Q5A

PRODUCTION DATA.  

  1. 1特性
  2. 2应用范围
  3. 3说明
  4. 4修订历史记录
  5. 5Specifications
    1. 5.1 Electrical Characteristics
    2. 5.2 Thermal Information
    3. 5.3 Typical MOSFET Characteristics
  6. 6器件和文档支持
    1. 6.1 商标
    2. 6.2 静电放电警告
    3. 6.3 术语表
  7. 7机械封装和可订购信息
    1. 7.1 Q5A 封装尺寸
    2. 7.2 建议印刷电路板 (PCB) 布局
    3. 7.3 建议模板开口
    4. 7.4 Q5A 卷带信息

封装选项

机械数据 (封装 | 引脚)
散热焊盘机械数据 (封装 | 引脚)
订购信息

4 修订历史记录

Changes from D Revision (August 2014) to E Revision

Changes from C Revision (May 2013) to D Revision

  • 在订购信息表中添加了 7 英寸卷带Go
  • 添加了外壳温度保持在 25°C 时的功耗参数 Go
  • 更新了脉冲电流条件 Go
  • Updated Figure 1 to a normalized RθJC curveGo

Changes from B Revision (November 2012) to C Revision

  • 更新了此图表以包含 E3、e1 和 e2 尺寸 Go
  • 添加了模板布局 Go

Changes from A Revision (October 2012) to B Revision

  • 更改了 RDS(on) 与 VGS 的关系曲线图以及栅极充电曲线图 Go
  • Changed RθJA Max value From: 51 To: 50°C/WGo
  • Changed the Typical MOSFET Characteristics sectionGo

Changes from * Revision (June 2012) to A Revision

  • Changed the Transconductance TYP value From: 63 S To: 71 SGo
  • Changed the Turn On and Turn Off Delay Time, Rise and Fall Time Test Conditions From: IDS = 17 A, RG = 2 Ω To: IDS = 17 A, RG = 0 ΩGo
  • Changed the Qrr Reverse Recovery Charge TYP value From: 18 nC To: 39 nCGo