ZHCSBT4A October   2013  – January 2015 CSD17571Q2

PRODUCTION DATA.  

  1. 1特性
  2. 2应用范围
  3. 3说明
  4. 4修订历史记录
  5. 5 Specifications
    1. 5.1 Electrical Characteristics
    2. 5.2 Thermal Information
    3. 5.3 Typical MOSFET Characteristics
  6. 6器件和文档支持
    1. 6.1 商标
    2. 6.2 静电放电警告
    3. 6.3 术语表
  7. 7机械、封装和可订购信息
    1. 7.1 Q2 封装尺寸
      1. 7.1.1 建议 PCB 布局
      2. 7.1.2 建议模板布局
    2. 7.2 Q2 卷带信息

封装选项

机械数据 (封装 | 引脚)
散热焊盘机械数据 (封装 | 引脚)
订购信息

1 特性

  • 低 Qg 和 Qgd
  • 低热阻
  • 雪崩级
  • 无铅引脚镀层
  • 符合 RoHS 环保标准
  • 无卤素
  • 小外形尺寸无引线 (SON) 2mm × 2mm 塑料封装

2 应用范围

  • 针对负载开关应用进行了优化
  • 存储、平板电脑和手持设备
  • 针对控制场效应晶体管 (FET) 应用进行了优化

3 说明

这款 30V、20mΩ、SON 2mm × 2mm NexFET™ 功率 MOSFET 旨在以最大程度降低功率转换和负载管理应用中的损耗，同时提供出色的封装散热性能。

顶视图
CSD17571Q2 P0108-01_LPS235.gif

产品概要

TA = 25°C 典型值 单位
VDS 漏源电压 30 V
Qg 栅极电荷总量 (4.5V) 2.4 nC
Qgd 栅极电荷（栅极到漏极） 0.6 nC
RDS(on) 漏源导通电阻 VGS = 4.5V 24 mΩ
VGS = 10V 20 mΩ
VGS(th) 阈值电压 1.6 V

订购信息(1)

器件 介质 数量 封装 出货
CSD17571Q2 7 英寸卷带 3000 SON 2mm x 2mm 塑料封装 卷带封装
  1. 要了解所有可用封装，请见数据表末尾的可订购产品附录。

绝对最大额定值

TA = 25°C 值 单位
VDS 漏源电压 30 V
VGS 栅源电压 ±20 V
ID 持续漏极电流（受封装限制） 22 A
持续漏极电流(1) 7.6 A
IDM 脉冲漏极电流，TA = 25°C 时测得(2) 39 A
PD 功率耗散(1) 2.5 W
TJ，
Tstg		 运行结温和
储存温度范围		 -55 至 150 °C
EAS 雪崩能量，单一脉冲
ID = 12A，L = 0.1mH，RG = 25Ω		 7.2 mJ
  1. RθJA = 50，这是在厚度为 0.060" 的环氧树脂 (FR4) 印刷电路板 (PCB) 上 1 in²（2 盎司）铜焊盘上测得的典型值
  2. 脉冲持续时间 10μs，占空比 ≤ 2%

RDS(on) 与 VGS 间的关系

CSD17571Q2 graph07_SLPS393.png

栅极电荷

CSD17571Q2 graph04_SLPS393.png