ZHCSGE6A February 2017 – July 2017 CSD17318Q2
PRODUCTION DATA.
1 特性
- 针对 5V 栅极驱动器进行优化
- 低电容和电荷
- 低 RDS(ON)
- 低热阻
- 无铅
- 符合 RoHS 环保标准
- 无卤素
- 小外形尺寸无引线 (SON) 2mm x 2mm 塑料封装
2 应用
- 存储、平板电脑和手持设备
- 优化负载开关 应用
- 直流/直流转换器
- 电池和负载管理 应用
3 说明
这款采用 2mm × 2mm SON 封装的 30V、12.6mΩ NexFET™功率 MOSFET 的设计被用来降低功率转换中的损耗， 并优化 5V 栅极驱动器。 2mm x 2mm SON 针对封装尺寸提供了出色的散热性能。
顶视图
产品概要
| TA = 25°C | 典型值 | 单位 | ||
|---|---|---|---|---|
| VDS | 漏源电压 | 30 | V | |
| Qg | 栅极电荷总量 (4.5V) | 6.0 | nC | |
| Qgd | 栅极电荷（栅极到漏极） | 1.3 | nC | |
| RDS(on) | 漏源导通电阻 | VGS = 2.5V | 20 | mΩ |
| VGS = 4.5V | 13.9 | |||
| VGS = 8V | 12.6 | |||
| VGS(th) | 阈值电压 | 0.9 | V | |
器件信息(1)
| 器件型号 | 数量 | 包装介质 | 封装 | 运输 |
|---|---|---|---|---|
| CSD17318Q2 | 3000 | 7 英寸卷带 | SON 2.00mm × 2.00mm 塑料封装 |
卷带封装 |
| CSD17318Q2T | 250 |
- 如需了解所有可用封装，请参阅数据表末尾的可订购产品附录。
绝对最大额定值
| TA = 25°C | 值 | 单位 | |
|---|---|---|---|
| VDS | 漏源电压 | 30 | V |
| VGS | 栅源电压 | ±10 | V |
| ID | 持续漏极电流（受封装限制） | 21.5 | A |
| 持续漏极电流（受芯片限制），TC = 25°C 时测得 | 25 | ||
| 持续漏极电流(1) | 10 | ||
| IDM | 脉冲漏极电流，TA = 25°C 时测得(2) | 68 | A |
| PD | 功率耗散(1) | 2.5 | W |
| 功率耗散，TC = 25°C | 16 | ||
| TJ， TSTG |
工作结温， 储存温度 |
-55 至 150 | °C |
| EAS | 雪崩能量，单脉冲， ID = 12.4A，L = 0.1mH，RG = 25Ω |
7.7 | mJ |
- RθJA = 55°C/W，这是在 0.06 英寸厚 FR4 PCB 上的 1 平方英寸、2oz 铜焊盘上测得的典型值。
- 最大 RθJC = 7°C/W，脉冲持续时间 ≤ 100μs，占空比 ≤ 1%。
导通电阻与栅极至源极电压 |
栅极电荷 |